| Номер детали производителя : | HS3F M6G | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | HS3F M6G(1).pdfHS3F M6G(2).pdfHS3F M6G(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | HS3F M6G |
|---|---|
| производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
| Описание | DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | HS3F M6G(1).pdfHS3F M6G(2).pdfHS3F M6G(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 300 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 50 ns |
| Упаковка / | DO-214AB, SMC |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 300 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | 80pF @ 4V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | HS3F |







DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB

DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
50NS, 3A, 200V, HIGH EFFICIENT R
Diodes - Rectifiers - Single SMC
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB